RU7088R3 - описание и поиск аналогов

 

RU7088R3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU7088R3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220S
 

 Аналог (замена) для RU7088R3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU7088R3 технические параметры

 ..1. Size:450K  ruichips
 ru7088r3.pdf pdf_icon

RU7088R3

RU7088R3 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, Insulation Slug RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Insulation Slug(VISO 1500VAC) Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated F t S it hi d F ll A l h R t d 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature S Lead Free and Gre

 7.1. Size:295K  ruichips
 ru7088r.pdf pdf_icon

RU7088R3

RU7088R N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested 175 C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO220 Applications Switching Application Syste

 7.2. Size:757K  cn vbsemi
 ru7088r.pdf pdf_icon

RU7088R3

RU7088R www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization 60 0.008 at VGS = 7.5 V 100 TO-220AB D G S N-Channel MOSFET G D S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Uni

 8.1. Size:306K  ruichips
 ru7088a.pdf pdf_icon

RU7088R3

RU7088A N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications The device is suitable for use in PWM ,load switching and general purpose applications. N-Channel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... UPA2592T1H , UPA2593T1H , UPA2650T1E , UPA2670T1R , UPA2672T1R , UPA2680T1E , UPA2700GR , STQ1NC45 , IRFZ44N , PTP04N04N , OSG55R190AF , OSG55R190DF , OSG55R190FF , OSG55R190PF , MDU2657 , JCS4N60V , JCS4N60R .

 

 
Back to Top

 


 
.