JCS4N60F - описание и поиск аналогов

 

JCS4N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS4N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220MF

Аналог (замена) для JCS4N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS4N60F даташит

 ..1. Size:1304K  jilin sino
 jcs4n60v jcs4n60c jcs4n60f jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60F

 ..2. Size:1259K  jilin sino
 jcs4n60f jcs4n60f jcs4n60v jcs4n60r jcs4n60b.pdf pdf_icon

JCS4N60F

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low

 ..3. Size:948K  jilin sino
 jcs4n60f.pdf pdf_icon

JCS4N60F

 0.1. Size:1019K  1
 jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf pdf_icon

JCS4N60F

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson Vgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... OSG55R190FF , OSG55R190PF , MDU2657 , JCS4N60V , JCS4N60R , JCS4N60S , JCS4N60B , JCS4N60C , IRLZ44N , CMP1405 , CMB1405 , UPA2701GR , UPA2702GR , UPA2706GR , UPA2707GR , UPA2708GR , UPA2709AGR .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.