RFP2N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFP2N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для RFP2N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP2N20 даташит

 ..1. Size:40K  intersil
 rfp2n20.pdf pdf_icon

RFP2N20

RFP2N20 Data Sheet July 1999 File Number 2881.2 2A, 200V, 3.500 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 2A, 200V These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 3.500 power field effect transistors designed for applications such Symbol as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching D transi

 0.1. Size:342K  fairchild semi
 rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFP2N20

RFP2N20L Data Sheet January 2002 2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFET 2A, 200V The RFP2N20L N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 3.500 power field effect transistor is specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Drives with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, autom

 0.2. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFP2N20

 9.1. Size:87K  njs
 rfp2n08 rfp2n10.pdf pdf_icon

RFP2N20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFP15P05SM, RFP15P06, RFP22N10, RFP25N05, RFP25N05L, RFP25N06, RFP2N08L, RFP2N10L, 4N60, RFP2N20L, RFP3055, RFP3055LE, RFP30N06LE, RFP30P05, RFP30P06, RFP40N10, RFP40N10LE