Справочник MOSFET. UPA2822T1L

 

UPA2822T1L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UPA2822T1L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 83 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: HVSON
 

 Аналог (замена) для UPA2822T1L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UPA2822T1L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  renesas
 upa2822t1l.pdf pdf_icon

UPA2822T1L

Data SheetPA2822T1L R07DS0754EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA2822T1L is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer and Lithium-Ion battery protection circuit. Features VDSS = 30 V (TA = 25C) Low on-state resistance RDS(on) = 2.6 m MAX. (VGS = 10 V, ID =

 8.1. Size:189K  renesas
 upa2820t1s.pdf pdf_icon

UPA2822T1L

Preliminary Data Sheet PA2820T1S R07DS0751EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA2820T1S is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer and Lithium-Ion battery protection circuit. Features VDSS = 30 V (TA = 25C) Low on-state resistance RDS(on) = 5.3 m MAX. (VGS

 8.2. Size:192K  renesas
 upa2825t1s.pdf pdf_icon

UPA2822T1L

Preliminary Data Sheet PA2825T1S R07DS0755EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA2825T1S is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer and Lithium-Ion battery protection circuit. Features VDSS = 30 V (TA = 25C) Low on-state resistance RDS(on) = 4.6 m MAX. (VGS

 8.3. Size:143K  renesas
 upa2821t1l.pdf pdf_icon

UPA2822T1L

PreliminaryData Sheet PA2821T1L R07DS0753EJ0100Rev.1.00May 25, 2012MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The PA2821T1L is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for power management applications of a notebook computer and Lithium-Ion battery protection circuit. Features VDSS = 30 V (TA = 25C) Low on-state resistance RDS(on) = 3.8 m MAX. (VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... UPA2811T1L , UPA2812T1L , UPA2813T1L , UPA2814T1S , UPA2815T1S , UPA2816T1S , UPA2820T1S , UPA2821T1L , AO3407 , UPA2825T1S , UPA2826T1S , UPA3753GR , UPA503CT , UPA572CT , UPA573CT , UPA602CT , UPA603CT .

History: AP20N15AGP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.