Справочник MOSFET. US5U1

 

US5U1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US5U1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TUMT5
 

 Аналог (замена) для US5U1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US5U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  rohm
 us5u1.pdf pdf_icon

US5U1

US5U1 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US5U1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5Schottky barrier diode 2.01.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol :

Другие MOSFET... UPA572CT , UPA573CT , UPA602CT , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , IRF640 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 .

History: TSM7N90CI | FQPF6N15 | AO6602G | 2SK3199 | TK28N65W | DMTH6004SK3

 

 
Back to Top

 


 
.