US5U1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: US5U1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: TUMT5
Аналог (замена) для US5U1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
US5U1 даташит
us5u1.pdf
US5U1 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US5U1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol
Другие MOSFET... UPA572CT , UPA573CT , UPA602CT , UPA603CT , UPA621TT , UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , IRFP460 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926

