US5U35 - описание и поиск аналогов

 

US5U35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: US5U35

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TUMT5

Аналог (замена) для US5U35

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US5U35 даташит

 ..1. Size:101K  rohm
us5u35.pdfpdf_icon

US5U35

US5U35 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET US5U35 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 Features 1.3 1) The US5U35 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) With fast switching. 3) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. Abbreviated symbol U35 Applications Swi

 9.1. Size:76K  rohm
us5u30.pdfpdf_icon

US5U35

US5U30 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U30 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 1.3 Features 1) The US5U30 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive(2.5V) 4) Built-in schottky barrier diode has low forward v

 9.2. Size:106K  rohm
us5u38.pdfpdf_icon

US5U35

US5U38 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U38 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT5 Schottky Barrier DIODE 2.0 1.3 Features 1) The US5U38 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (2.5V). 4) Built-in schottky barrier diode has low forward volt

 9.3. Size:65K  rohm
us5u3.pdfpdf_icon

US5U35

US5U3 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US5U3 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5 Schottky barrier diode 2.0 1.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol

Другие MOSFET... UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , IRFB4110 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.