Справочник MOSFET. US5U35

 

US5U35 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US5U35
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TUMT5
 

 Аналог (замена) для US5U35

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US5U35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  rohm
us5u35.pdfpdf_icon

US5U35

US5U35 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOSFET US5U35 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5Schottky Barrier DIODE 2.0 Features 1.31) The US5U35 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) With fast switching. 3) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. Abbreviated symbol : U35 Applications Swi

 9.1. Size:76K  rohm
us5u30.pdfpdf_icon

US5U35

US5U30 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U30 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT5Schottky Barrier DIODE 2.01.3 Features 1) The US5U30 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive(2.5V) 4) Built-in schottky barrier diode has low forward v

 9.2. Size:106K  rohm
us5u38.pdfpdf_icon

US5U35

US5U38 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET US5U38 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel MOSFET TUMT5Schottky Barrier DIODE 2.01.3 Features 1) The US5U38 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-resistance with fast switching. 3) Low voltage drive (2.5V). 4) Built-in schottky barrier diode has low forward volt

 9.3. Size:65K  rohm
us5u3.pdfpdf_icon

US5U35

US5U3 Transistors 2.5V Drive Nch+SBD MOSFET US5U3 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT5Schottky barrier diode 2.01.3 Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbreviated symbol

Другие MOSFET... UPA622TT , UPA650TT , UPA651TT , US5U1 , US5U2 , US5U29TR , US5U3 , US5U30 , IRF640N , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 , US6M1 , US6M11 , US6M2 .

History: SQJ942EP | FQU3N60CTU | AP2320GN-HF | AONY36304 | AOT10N65

 

 
Back to Top

 


 
.