US6M1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: US6M1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для US6M1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6M1 даташит

 ..1. Size:93K  rohm
 us6m1.pdf pdf_icon

US6M1

US6M1 Transistors 4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6M1 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TUMT6). Abbreviated symbol M01 Application Power switching, DC / DC converter. Packaging specifications Equivalent circuit Package Tapi

 0.1. Size:198K  rohm
 us6m11.pdf pdf_icon

US6M1

1.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M11 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6 Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) Low on-resistance. 3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol M11 Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4) 1 Packa

Другие IGBT... US5U3, US5U30, US5U35, US5U38, US6J11, US6K1, US6K2, US6K4, IRF3710, US6M11, US6M2, US6U37, AM4437P, AON6718L, APM3009NF, APM3009NG, APM3009NU