Справочник MOSFET. US6M1

 

US6M1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: US6M1
   Маркировка: M01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для US6M1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

US6M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  rohm
 us6m1.pdf pdf_icon

US6M1

US6M1 Transistors 4V+2.5V Drive Nch+Nch MOSFET US6M1 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel / P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TUMT6). Abbreviated symbol : M01 Application Power switching, DC / DC converter. Packaging specifications Equivalent circuit Package Tapi

 0.1. Size:198K  rohm
 us6m11.pdf pdf_icon

US6M1

1.5V Drive Nch+Pch MOSFET US6M11 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / TUMT6Silicon P-channel MOSFET Features 1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package. 2) Low on-resistance. 3) Low voltage drive (1.5V drive). 4) Built-in G-S Protection Diode. Abbreviated symbol : M11 Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)1 Packa

Другие MOSFET... US5U3 , US5U30 , US5U35 , US5U38 , US6J11 , US6K1 , US6K2 , US6K4 , IRFB4227 , US6M11 , US6M2 , US6U37 , AM4437P , AON6718L , APM3009NF , APM3009NG , APM3009NU .

History: TPA70R260M | 2SK3054C

 

 
Back to Top

 


 
.