ECH8304 - описание и поиск аналогов

 

ECH8304. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ECH8304

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 9 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 234 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: ECH8

Аналог (замена) для ECH8304

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8304 даташит

 ..1. Size:36K  sanyo
ech8304.pdfpdf_icon

ECH8304

Ordering number ENN8255 ECH8304 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8304 Applications Features Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 9 V Drain Current (DC) ID

 8.1. Size:35K  sanyo
ech8302.pdfpdf_icon

ECH8304

Ordering number ENN8247 ECH8302 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8302 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --7 A Drain Current (Pulse) IDP PW

 8.2. Size:36K  sanyo
ech8305.pdfpdf_icon

ECH8304

Ordering number ENN8145 ECH8305 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8305 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --4 A Drain Current (Pulse) IDP PW 1

 8.3. Size:36K  sanyo
ech8306.pdfpdf_icon

ECH8304

Ordering number ENA0302 ECH8306 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8306 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --100 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --2

Другие MOSFET... APM3023NF , SI4834BDY , SI4856DY , SSM60T03H , SSM60T03J , EC4406C , EC4407KF , ECH8302 , IRFP260 , ECH8305 , ECH8306 , ECH8402 , ECH8411 , ECH8690 , ECH8693R , ECH8695R , ECH8697R .

History: BRCS150N12SRA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.