ECH8402 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ECH8402
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: ECH8
ECH8402 Datasheet (PDF)
ech8402.pdf
Ordering number : ENN8148 ECH8402N-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8402ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID 10 ADrain Current (Pulse) IDP PW10
ech8420.pdf
ECH8420Ordering number : EN8993SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETECH8420 General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=5.2m (typ.) 1.8V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source
ech8419.pdf
ECH8419Ordering number : ENA1886SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8419ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 35 VGate-to-Sourc
ech8410.pdf
ECH8410Ordering number : ENA1331SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8410ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20
ech8411.pdf
Ordering number : ENA0073 ECH8411N-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8411ApplicationsFeatures Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 20 VGate-to-Source Voltage VGSS 12 VDrain Current (DC) ID 9 ADrain Current (Pulse) IDP
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
