ECH8411. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ECH8411
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: ECH8
Аналог (замена) для ECH8411
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ECH8411 даташит
ech8411.pdf
Ordering number ENA0073 ECH8411 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8411 Applications Features Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source Voltage VGSS 12 V Drain Current (DC) ID 9 A Drain Current (Pulse) IDP
ech8419.pdf
ECH8419 Ordering number ENA1886 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8419 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=13m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 35 V Gate-to-Sourc
ech8410.pdf
ECH8410 Ordering number ENA1331 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8410 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20
ech8420.pdf
ECH8420 Ordering number EN8993 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET ECH8420 General-Purpose Switching Device Applications Features ON-resistance RDS(on)1=5.2m (typ.) 1.8V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 20 V Gate-to-Source
Другие MOSFET... SSM60T03J , EC4406C , EC4407KF , ECH8302 , ECH8304 , ECH8305 , ECH8306 , ECH8402 , K4145 , ECH8690 , ECH8693R , ECH8695R , ECH8697R , EFC4619R , EFC4621R , EFC4626R , EFC4627R .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a





