EKH06100 - аналоги и даташиты транзистора

 

EKH06100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: EKH06100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKH06100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  sanken-ele
 ekh06100.pdf pdf_icon

EKH06100

60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr

Другие MOSFET... EFC6602R , EFC6604R , EFC6605R , EFC6611R , EFC6611R-TF , EFC6612R , EFC6612R-TF , EKG1020 , P0903BDG , EKI04027 , EKI04036 , EKI04047 , EKI06051 , EKI06075 , EKI06108 , EKI07076 , EKI07117 .

History: DMN6040SSDQ | IPI80N04S4-03 | WNM2020-3 | CEM7808

 

 
Back to Top

 


 
.