EKH06100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EKH06100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 165 nC
Время нарастания (tr): 140 ns
Выходная емкость (Cd): 1100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO-220
EKH06100 Datasheet (PDF)
..1. Size:680K sanken-ele
ekh06100.pdf
ekh06100.pdf
60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
