EKH06100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EKH06100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для EKH06100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKH06100 даташит

 ..1. Size:680K  sanken-ele
 ekh06100.pdf pdf_icon

EKH06100

60V High Current Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKH06100 / FKH0660 / SKH06100 Features Package TO220 TO220F TO263 VDS -------------------------------------------------------- 60 V EKH06100 FKH0660 SKH06100 ID ------------------------ 100 A (EKH06100, SKH06100) (Back side) RDS(ON) -------------- 3.8 m typ.(VGS = 10 V, ID = 50 A) D Built-in Gate pr

Другие IGBT... EFC6602R, EFC6604R, EFC6605R, EFC6611R, EFC6611R-TF, EFC6612R, EFC6612R-TF, EKG1020, IRF1407, EKI04027, EKI04036, EKI04047, EKI06051, EKI06075, EKI06108, EKI07076, EKI07117