EKI06108. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: EKI06108
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для EKI06108
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
EKI06108 даташит
eki06108.pdf
60 V, 57 A, 7.0 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI06108 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 57 A D RDS(ON) ---------- 9.2 m max. (VGS = 10 V, ID = 28.5 A) Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 28.5 A) Low Total Gate
eki06108.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor EKI06108 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
eki06075.pdf
60 V, 78 A, 5.1 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI06075 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 78 A D RDS(ON) ---------- 6.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 39.0 A) Qg ------26.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 39.0 A) Low Total Gate
eki06051.pdf
60 V, 85 A, 3.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI06051 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 85 A D RDS(ON) ---------- 4.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 55.0 A) Qg ------44.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 55.0 A) Low Total Gate
Другие IGBT... EFC6612R-TF, EKG1020, EKH06100, EKI04027, EKI04036, EKI04047, EKI06051, EKI06075, AO3407, EKI07076, EKI07117, EKI07174, EKI10126, EKI10198, EKI10300, ELM13400CA-S, ELM13401CA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a



