EKI10198. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EKI10198

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0184 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для EKI10198

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKI10198 даташит

 ..1. Size:246K  sanken-ele
 eki10198.pdf pdf_icon

EKI10198

100 V, 47 A, 13.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI10198 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 47 A D RDS(ON) -------- 18.4 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.4 A) Qg ------27.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 23.4 A) Low Total Gat

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 eki10198.pdf pdf_icon

EKI10198

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI10198 FEATURES Drain Current I =47A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 18.4m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 8.1. Size:246K  sanken-ele
 eki10126.pdf pdf_icon

EKI10198

100 V, 66 A, 8.8 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET EKI10126 Features Package V(BR)DSS -------------------------------- 100 V (ID = 100 A) TO-220 (4) ID ---------------------------------------------------------- 66 A D RDS(ON) -------- 12.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 33.0 A) Qg ------45.2 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 50 V, ID = 33.0 A) Low Total Gate

 8.2. Size:250K  inchange semiconductor
 eki10126.pdf pdf_icon

EKI10198

isc N-Channel MOSFET Transistor EKI10126 FEATURES Drain Current I =66A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 12.1m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... EKI04047, EKI06051, EKI06075, EKI06108, EKI07076, EKI07117, EKI07174, EKI10126, STF13NM60N, EKI10300, ELM13400CA-S, ELM13401CA, ELM13402CA, ELM13403CA, ELM13404CA, ELM13406CA, ELM13407CA-S