ELM13416CA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ELM13416CA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 328 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для ELM13416CA
ELM13416CA Datasheet (PDF)
elm13416ca.pdf
Single N-channel MOSFETELM13416CA-SGeneral description Features ELM13416CA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and operation Id=6.5A (Vgs=4.5V)with gate voltages as low as 1.8V and internal ESD Rds(on)
elm13414ca.pdf
Single N-channel MOSFETELM13414CA-SGeneral description Features ELM13414CA-S uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=4.2A (Vgs=4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V. Rds(on)
elm13419ca.pdf
P MOSFETELM13419CA-S ELM13419CA-S P Vds=-20V MOSFET Id=-3.5A (Vgs=-10V) ESD Rds(on)
elm13413ca.pdf
Single P-channel MOSFETELM13413CA-SGeneral description Features ELM13413CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-3A (Vgs=-4.5V)resistance. Rds(on)
elm13418ca.pdf
Single N-channel MOSFETELM13418CA-SGeneral description Features ELM13418CA-S uses advanced trench technology Vds=30Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=3.8A (Vgs=10V)operation with gate voltages as low as 2.5V. Rds(on)
elm13415ca.pdf
Single P-channel MOSFETELM13415CA-SGeneral description Features ELM13415CA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-4A (Vgs=-4.5V)resistance. Internal ESD protection is included. Rds(on)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918