ELM14800AA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ELM14800AA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ELM14800AA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM14800AA даташит

 ..1. Size:392K  elm
 elm14800aa.pdf pdf_icon

ELM14800AA

Dual N-channel MOSFET ELM14800AA-N General description Features ELM14800AA-N uses advanced trench technology to Vds=30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=6.9A (Vgs=10V) Rds(on)

 ..2. Size:890K  cn vbsemi
 elm14800aa.pdf pdf_icon

ELM14800AA

 7.1. Size:395K  elm
 elm14806aa.pdf pdf_icon

ELM14800AA

Dual N-channel MOSFET ELM14806AA-N General description Features ELM14806AA-N uses advanced trench technology Vds=20V to provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=9.4A (Vgs=10V) operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

 7.2. Size:389K  elm
 elm14801aa.pdf pdf_icon

ELM14800AA

Dual P-channel MOSFET ELM14801AA-N General description Features ELM14801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30V provide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ELM14430AA, ELM14440AA, ELM14466AA, ELM14468AA, ELM14604AA, ELM14606AA, ELM14614AA, ELM14702AA-N, IRFB4110, ELM14801AA, ELM14803AB, ELM14805AA, ELM14806AA, ELM14812AA, ELM14822AA, ELM14826AA, ELM14828AA