Справочник MOSFET. ELM18801BA

 

ELM18801BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM18801BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для ELM18801BA

 

 

ELM18801BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:390K  elm
 elm18801ba.pdf

ELM18801BA ELM18801BA

Dual P-channel MOSFETELM18801BA-SGeneral description Features ELM18801BA-S uses advanced trench technology to Vds=-20Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Internal Id=-4.7A (Vgs=-4.5V)ESD protection is included. Rds(on)

 7.1. Size:392K  elm
 elm18806ba.pdf

ELM18801BA ELM18801BA

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM18806BA-SGeneral description Features ELM18806BA-S uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

 8.1. Size:395K  elm
 elm18814ba.pdf

ELM18801BA ELM18801BA

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM18814BA-SGeneral description Features ELM18814BA-S uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7.5A (Vgs=10V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

 8.2. Size:395K  elm
 elm18822ba.pdf

ELM18801BA ELM18801BA

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM18822BA-SGeneral description Features ELM18822BA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on) and low gate charge. Id=7A (Vgs=10V) Rds(on)

 8.3. Size:392K  elm
 elm18810ba.pdf

ELM18801BA ELM18801BA

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM18810BA-SGeneral description Features ELM18810BA-S uses advanced trench technology Vds=20Vto provide excellent Rds(on), low gate charge and Id=7A (Vgs=4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V and internal Rds(on)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top