Справочник MOSFET. ELM32434LA

 

ELM32434LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM32434LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ELM32434LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM32434LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  elm
elm32434la.pdfpdf_icon

ELM32434LA

Single N-channel MOSFETELM32434LA-SGeneral description Features ELM32434LA-S uses advanced trench technology to Vds=600Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=2A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:547K  elm
elm32430la.pdfpdf_icon

ELM32434LA

Single N-channel MOSFETELM32430LA-SGeneral description Features ELM32430LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=45A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:595K  elm
elm32424la.pdfpdf_icon

ELM32434LA

Single N-channel MOSFETELM32424LA-SGeneral description Features ELM32424LA-S uses advanced trench technology to Vds=25Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=50A resistance. Rds(on)

 8.2. Size:604K  elm
elm32403la.pdfpdf_icon

ELM32434LA

Single P-channel MOSFETELM32403LA-SGeneral description Features ELM32403LA-S uses advanced trench technology to Vds=-40Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A resistance. Rds(on)

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRF1405 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: TWS6602FJ | SQJ570EP | P0550ED

 

 
Back to Top

 


 
.