RFP7N10LE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFP7N10LE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для RFP7N10LE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP7N10LE даташит

 ..1. Size:136K  harris semi
 rfd7n10le-sm rfp7n10le.pdf pdf_icon

RFP7N10LE

RFD7N10LE, RFD7N10LESM S E M I C O N D U C T O R RFP7N10LE 7A, 100V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs) February 1994 Features Packaging JEDEC TO-220AB 7A, 100V TOP VIEW rDS(ON) = 0.300 SOURCE 2KV ESD Protected DRAIN DRAIN (FLANGE) Temperature Compensating PSPICE Model GATE Can be Driven Directly fr

Другие IGBT... RFP4N06L, RFP4N100, RFP50N05L, RFP50N06, RFP50N06LE, RFP60P03, RFP70N03, RFP70N06, IRFB31N20D, RFP8N20L, RFP8P05, RFP8P06E, RFP8P06LE, RFP8P10, RFT1P06E, RFT2P03L, RFT3055LE