RFP7N10LE - аналоги и даташиты транзистора

 

RFP7N10LE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFP7N10LE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для RFP7N10LE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP7N10LE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  harris semi
 rfd7n10le-sm rfp7n10le.pdf pdf_icon

RFP7N10LE

RFD7N10LE, RFD7N10LESMS E M I C O N D U C T O RRFP7N10LE7A, 100V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic LevelN-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs)February 1994Features PackagingJEDEC TO-220AB 7A, 100VTOP VIEW rDS(ON) = 0.300SOURCE 2KV ESD ProtectedDRAINDRAIN(FLANGE) Temperature Compensating PSPICE Model GATE Can be Driven Directly fr

Другие MOSFET... RFP4N06L , RFP4N100 , RFP50N05L , RFP50N06 , RFP50N06LE , RFP60P03 , RFP70N03 , RFP70N06 , IRFB31N20D , RFP8N20L , RFP8P05 , RFP8P06E , RFP8P06LE , RFP8P10 , RFT1P06E , RFT2P03L , RFT3055LE .

History: 2SJ501 | AP18T10GI | SVG105R4NKL | HY3007P | IRFBA1404PPBF | APT6025BVFR

 

 
Back to Top

 


 
.