Справочник MOSFET. CMT04N60XN252

 

CMT04N60XN252 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CMT04N60XN252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для CMT04N60XN252

 

 

CMT04N60XN252 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:341K  champion
 cmt04n60.pdf

CMT04N60XN252 CMT04N60XN252

CMT04N60 POWER MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES This advanced high voltage MOSFET is designed to Higher Current Rating withstand high energy in the avalanche mode and switch Lower Rds(on)efficiently. This new high energy device also offers a Lower Capacitancesdrain-to-source diode with fast recovery time. Designed for Lower Total Gate Charge high voltage, high speed switc

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top