DG2N60-252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DG2N60-252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
DG2N60-252 Datasheet (PDF)
dg2n60.pdf

JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N
dg2n65.pdf

DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N
Другие MOSFET... CEB703AL , CMT04N60GN220 , CMT04N60XN220 , CMT04N60GN220FP , CMT04N60XN220FP , CMT04N60GN252 , CMT04N60XN252 , DG2N60-251 , IRFP064N , DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , DG2N65-126 .
History: IPI80N08S4-06 | 60NM60L-T3P
History: IPI80N08S4-06 | 60NM60L-T3P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485