Справочник MOSFET. DG2N60-252

 

DG2N60-252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DG2N60-252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DG2N60-252

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DG2N60-252 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1513K  jiangsu
dg2n60.pdfpdf_icon

DG2N60-252

JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N

 9.1. Size:1477K  jiangsu
dg2n65.pdfpdf_icon

DG2N60-252

DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N

Другие MOSFET... CEB703AL , CMT04N60GN220 , CMT04N60XN220 , CMT04N60GN220FP , CMT04N60XN220FP , CMT04N60GN252 , CMT04N60XN252 , DG2N60-251 , IRFP064N , DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , DG2N65-126 .

History: LPSC3487 | IRF7855PBF | HSU0018A | SLP3101 | AO8808A | YTF153 | TT8K1

 

 
Back to Top

 


 
.