DG2N65-252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DG2N65-252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO252
DG2N65-252 Datasheet (PDF)
dg2n65.pdf

DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N
dg2n60.pdf

JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N
Другие MOSFET... CMT04N60GN252 , CMT04N60XN252 , DG2N60-251 , DG2N60-252 , DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , IRF840 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , DG2N65-126 , DG840 , DG840F , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B .
History: OSG70R360DF
History: OSG70R360DF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m