Справочник MOSFET. DG2N65-252

 

DG2N65-252 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DG2N65-252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DG2N65-252

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DG2N65-252 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:1477K  jiangsu
dg2n65.pdfpdf_icon

DG2N65-252

DG2N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG2N65N

 9.1. Size:1513K  jiangsu
dg2n60.pdfpdf_icon

DG2N65-252

JiangSu Dongchen Electronics Technology Co.,LtdDG2N60N 201603-AN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET General DescriptionDG2N60N

Другие MOSFET... CMT04N60GN252 , CMT04N60XN252 , DG2N60-251 , DG2N60-252 , DG2N60-220 , DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , IRF840 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , DG2N65-126 , DG840 , DG840F , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B .

History: PNMTO600V5 | 2SK2939S | CSD18534Q5A

 

 
Back to Top

 


 
.