DG840F - описание и поиск аналогов

 

DG840F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DG840F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для DG840F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DG840F даташит

 9.1. Size:739K  jiangsu
dg840.pdfpdf_icon

DG840F

DG840 V1.0 N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG840 N

Другие MOSFET... DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , DG2N65-126 , DG840 , IRFP460 , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B , DH100P30D , DH100P30I , DH100P30E , F6B52HP , FP401 .

History: GN10N65A4 | SLD65R380E7C | 2SK3870-01 | SI3475DV | RU8590S | ZXM66P03N8 | SW3N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.