DG840F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DG840F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для DG840F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DG840F даташит
dg840.pdf
DG840 V1.0 N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG840 N
Другие MOSFET... DG2N60-220F , DG2N60-126 , DG2N65-251 , DG2N65-252 , DG2N65-220 , DG2N65-220F , DG2N65-126 , DG840 , IRFP460 , DH100P30 , DH100P30F , DH100P30B , DH100P30D , DH100P30I , DH100P30E , F6B52HP , FP401 .
History: GN10N65A4 | SLD65R380E7C | 2SK3870-01 | SI3475DV | RU8590S | ZXM66P03N8 | SW3N10
History: GN10N65A4 | SLD65R380E7C | 2SK3870-01 | SI3475DV | RU8590S | ZXM66P03N8 | SW3N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a

