Справочник MOSFET. RFP8P05

 

RFP8P05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFP8P05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 80(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для RFP8P05

 

 

RFP8P05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  intersil
rfd8p05-sm rfp8p05.pdf

RFP8P05
RFP8P05

RFD8P05, RFD8P05SM, RFP8P05Data Sheet July 1999 File Number 2384.28A, 50V, 0.300 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 8A, 50VThese products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.300manufactured using the MegaFET process. This process, UIS SOA Rating Curvewhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits,gives optimum utilization of silicon, resulting i

 8.1. Size:134K  fairchild semi
rfd8p06e-sm rfp8p06e.pdf

RFP8P05
RFP8P05

RFD8P06E, RFD8P06ESM, RFP8P06EData Sheet January 20028A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power FeaturesMOSFETs 8A, 60VThese are P-Channel power MOSFETs manufactured using rDS(ON) = 0.300the MegaFET process. This process, which uses feature Temperature Compensating PSPICE Modelsizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, r

 8.2. Size:279K  harris semi
rfm8p08 rfm8p10 rfp8p08.pdf

RFP8P05
RFP8P05

 8.3. Size:106K  intersil
rfd8p06le-sm rfp8p06le.pdf

RFP8P05
RFP8P05

RFD8P06LE, RFD8P06LESM, RFP8P06LEData Sheet July 1999 File Number 4273.18A, 60V, 0.300 Ohm, ESD Rated, Logic FeaturesLevel, P-Channel Power MOSFET 8A, 60VThese products are P-Channel power MOSFETs rDS(ON) = 0.300manufactured using the MegaFET process. This process, 2kV ESD Protectedwhich uses feature sizes approaching those of LSI circuits,gives optimum utilizati

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top