Справочник MOSFET. STP10NB20FP

 

STP10NB20FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP10NB20FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10NB20FP Datasheet (PDF)

 5.1. Size:182K  st
stp10nb20.pdfpdf_icon

STP10NB20FP

STP10NB20STP10NB20FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP10NB20 200 V

 7.1. Size:339K  st
stp10nb50 stp10nb50fp.pdfpdf_icon

STP10NB20FP

STP10NB50STP10NB50FPN - CHANNEL 500V - 0.55 - 10.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP10NB50 500 V

 8.1. Size:1627K  st
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdfpdf_icon

STP10NB20FP

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID131DPAKSTB10N60M2D 2 PAKSTD10N60M2650 V 0.600 7.5 ASTP10N60M2TABTABSTU10N60M23 Extremely low gate ch

 8.2. Size:384K  st
stp10nk70z.pdfpdf_icon

STP10NB20FP

STP10NK70ZSTP10NK70ZFPN-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A TO-220/TO-220FPZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP10NK70Z 700 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SFG10S10GF | VSE002N03MS-G | 2SK2989 | 2SK3430-ZJ | NTB85N03 | NCEP01T18VD | R6535KNZ1

 

 
Back to Top

 


 
.