Справочник MOSFET. STP10NB50

 

STP10NB50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: STP10NB50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 135 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 38 nC

Время нарастания (tr): 13 ns

Выходная емкость (Cd): 210 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP10NB50

 

 

STP10NB50 Datasheet (PDF)

1.1. stp10nb50 fp.pdf Size:339K _update-mosfet

STP10NB50
STP10NB50

STP10NB50 STP10NB50FP ® N - CHANNEL 500V - 0.55Ω - 10.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP10NB50 500 V < 0.60 Ω 10.6 A STP10NB50FP 500 V < 0.60 Ω 10.6 A TYPICAL R = 0.55 Ω DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES 3 3 GATE CHARGE MINIMIZED 2 2 1 1 DESCRIPTION Using the latest hi

1.2. stp10nb50(fp).pdf Size:339K _st

STP10NB50
STP10NB50

STP10NB50 STP10NB50FP N - CHANNEL 500V - 0.55? - 10.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH? MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP10NB50 500 V < 0.60 ? 10.6 A STP10NB50FP 500 V < 0.60 ? 10.6 A TYPICAL R = 0.55 ? DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES 3 3 GATE CHARGE MINIMIZED 2 2 1 1 DESCRIPTION Using the latest high voltage MES

 3.1. stp10nb20.pdf Size:182K _update-mosfet

STP10NB50
STP10NB50

STP10NB20 STP10NB20FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP10NB20 200 V < 0.40 Ω 10 A STP10NB20FP 200 V < 0.40 Ω 6 A TYPICAL R = 0.25 Ω DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 3 2 2 DESCRIPTION 1 1 Using the latest high voltage MESH

3.2. stp10nb20.pdf Size:182K _st

STP10NB50
STP10NB50

STP10NB20 STP10NB20FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH? MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP10NB20 200 V < 0.40 ? 10 A STP10NB20FP 200 V < 0.40 ? 6 A TYPICAL R = 0.25 ? DS(on) EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED 3 3 2 2 DESCRIPTION 1 1 Using the latest high voltage MESH OVERLAY?

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top