STP10NB50 - описание и поиск аналогов

 

STP10NB50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP10NB50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP10NB50

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10NB50 даташит

 ..1. Size:339K  st
stp10nb50 stp10nb50fp.pdfpdf_icon

STP10NB50

STP10NB50 STP10NB50FP N - CHANNEL 500V - 0.55 - 10.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET TYPE V R I DSS DS(on) D STP10NB50 500 V

 7.1. Size:182K  st
stp10nb20.pdfpdf_icon

STP10NB50

STP10NB20 STP10NB20FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP10NB20 200 V

 8.1. Size:1627K  st
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdfpdf_icon

STP10NB50

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2 N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D PAK, DPAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TAB TAB RDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID 1 3 1 DPAK STB10N60M2 D 2 PAK STD10N60M2 650 V 0.600 7.5 A STP10N60M2 TAB TAB STU10N60M2 3 Extremely low gate ch

 8.2. Size:384K  st
stp10nk70z.pdfpdf_icon

STP10NB50

STP10NK70Z STP10NK70ZFP N-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK70Z 700 V

Другие MOSFET... PHP95N03LT , PHB95N03LT , PHE95N03LT , STP100N6F7 , STP100NF04L , SVF10N65CFJ , STP10NB20 , STP10NB20FP , 13N50 , STP10NB50FP , STP10NC50 , STP10NC50FP , ELM33411CA , ELM33412CA , ELM33413CA , ELM33414CA , ELM33415CA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.