Справочник MOSFET. STP10NB50

 

STP10NB50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP10NB50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10NB50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  st
stp10nb50 stp10nb50fp.pdfpdf_icon

STP10NB50

STP10NB50STP10NB50FPN - CHANNEL 500V - 0.55 - 10.6A - TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTP10NB50 500 V

 7.1. Size:182K  st
stp10nb20.pdfpdf_icon

STP10NB50

STP10NB20STP10NB20FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP10NB20 200 V

 8.1. Size:1627K  st
stb10n60m2 std10n60m2 stp10n60m2 stu10n60m2.pdfpdf_icon

STP10NB50

STB10N60M2, STD10N60M2, STP10N60M2, STU10N60M2N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in DPAK, DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABRDS(on) 3 Order codes VDS @ TJmax max ID131DPAKSTB10N60M2D 2 PAKSTD10N60M2650 V 0.600 7.5 ASTP10N60M2TABTABSTU10N60M23 Extremely low gate ch

 8.2. Size:384K  st
stp10nk70z.pdfpdf_icon

STP10NB50

STP10NK70ZSTP10NK70ZFPN-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A TO-220/TO-220FPZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP10NK70Z 700 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS | 2SK3117

 

 
Back to Top

 


 
.