Справочник MOSFET. ELM34810AA

 

ELM34810AA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ELM34810AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ELM34810AA

 

 

ELM34810AA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  elm
 elm34810aa.pdf

ELM34810AA ELM34810AA

Dual N-channel MOSFETELM34810AA-NGeneral description Features ELM34810AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 7.1. Size:429K  elm
 elm34812aa.pdf

ELM34810AA ELM34810AA

Dual N-channel MOSFETELM34812AA-NGeneral description Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:1071K  elm
 elm34803aa-n.pdf

ELM34810AA ELM34810AA

Dual P-channel MOSFETELM34803AA-NGeneral description Features ELM34803AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-8A resistance. Rds(on)

 8.2. Size:775K  elm
 elm34802aa-n.pdf

ELM34810AA ELM34810AA

Dual N-channel MOSFETELM34802AA-NGeneral description Features ELM34802AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=4.5A resistance. Rds(on)

 8.3. Size:416K  elm
 elm34801aa.pdf

ELM34810AA ELM34810AA

Dual P-channel MOSFETELM34801AA-NGeneral description Features ELM34801AA-N uses advanced trench technology to Vds=-30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=-6A resistance. Rds(on)

 8.4. Size:605K  elm
 elm34804aa.pdf

ELM34810AA ELM34810AA

Dual N-channel MOSFETELM34804AA-NGeneral description Features ELM34804AA-N uses advanced trench technology to Vds=60Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=4.5A resistance. Rds(on)

 8.5. Size:559K  elm
 elm34808aa.pdf

ELM34810AA ELM34810AA

Dual N-channel MOSFETELM34808AA-NGeneral description Features ELM34808AA-N uses advanced trench technology to Vds=30Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7A resistance. Rds(on)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top