Справочник MOSFET. ELM3C1260A

 

ELM3C1260A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM3C1260A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM3C1260A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  elm
 elm3c1260a.pdf pdf_icon

ELM3C1260A

Single N-channel MOSFETELM3C1260AGeneral description Features ELM3C1260A uses advanced trench technology to Vds=600Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=12A resistance. Rds(on)

 8.1. Size:461K  elm
 elm3c1350a.pdf pdf_icon

ELM3C1260A

Single N-channel MOSFETELM3C1350AGeneral description Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=13A resistance. Rds(on)

 9.1. Size:1038K  china
 elm3c0660a.pdf pdf_icon

ELM3C1260A

N MOSFETELM3C0660A ELM3C0660A N Vds=600V MOSFET Id=6A Rds(on)

 9.2. Size:461K  elm
 elm3c0850a.pdf pdf_icon

ELM3C1260A

Single N-channel MOSFETELM3C0850AGeneral description Features ELM3C0850A uses advanced trench technology to Vds=500Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=8A resistance. Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RU80190R | JCS9N90WT | NDT6N70 | 2SK2225 | 2SK1825 | IPD50R280CE | 3LP01C

 

 
Back to Top

 


 
.