Справочник MOSFET. ELM58822SA

 

ELM58822SA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ELM58822SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 650 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для ELM58822SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ELM58822SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  elm
 elm58822sa.pdf pdf_icon

ELM58822SA

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM58822SA-SGeneral description Features ELM58822SA-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=6.5A resistance. Rds(on) = 32m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 35m (Vgs=2.5V)Maximum absolute ratingsParameter Symbol Limit UnitDrain-source voltage Vds 20 VGate-sourc

 8.1. Size:1801K  elm
 elm588822a-s.pdf pdf_icon

ELM58822SA

(common drain)Dual N-channel MOSFET ELM588822A-SGeneral description Features ELM588822A-S uses advanced trench technology to Vds=20Vprovide excellent Rds(on), low gate charge and low gate Id=7.2A resistance. Rds(on) = 28m (Vgs=4.5V) Rds(on) = 32m (Vgs=2.5V) Rds(on) = 45m (Vgs=1.8V)Maximum absolute ratingsTa=25C. Unless otherwise noted.Par

Другие MOSFET... ELM544599A , ELM544634A , ELM54801AA , ELM549407A , ELM56800EA , ELM56801EA , ELM57800GA , ELM57801GA , P55NF06 , ELM588822A-S , ELM5B801QA , ELM5E400PA , ELM5E401PA , ELM5E402PA , ELM5H1072A , ELM5J400RA , ELM5K8471A .

History: UF830L-TF3-T | FQB9N25CTM | IXTH44P15T | TPCA8014-H | ZXMP7A17KTC | E10P02

 

 
Back to Top

 


 
.