Справочник MOSFET. ES6U3

 

ES6U3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ES6U3
   Маркировка: U03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: WEMT6

 Аналог (замена) для ES6U3

 

 

ES6U3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  rohm
 es6u3.pdf

ES6U3 ES6U3

4V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U3 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. (1) (2) (3)2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbriviated symbol : U03 Applications Inner circuit Switchin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK1734

 

 
Back to Top