Справочник MOSFET. ES6U3

 

ES6U3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ES6U3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: WEMT6
 

 Аналог (замена) для ES6U3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ES6U3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  rohm
 es6u3.pdf pdf_icon

ES6U3

4V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U3 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. (1) (2) (3)2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbriviated symbol : U03 Applications Inner circuit Switchin

Другие MOSFET... EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , 8205A , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M .

History: 7N65KL-TF3T-T | RSD201N10 | BUK7225-55A | HTN020N04P | AOB66935L | WFU1N60

 

 
Back to Top

 


 
.