ES6U3 - описание и поиск аналогов

 

ES6U3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ES6U3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: WEMT6

Аналог (замена) для ES6U3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ES6U3 даташит

 ..1. Size:143K  rohm
 es6u3.pdf pdf_icon

ES6U3

4V Drive Nch+SBD MOSFET ES6U3 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / WEMT6 Schottky barrier diode (6) (5) (4) Features 1) Nch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. (1) (2) (3) 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Built-in Low VF schottky barrier diode. Abbriviated symbol U03 Applications Inner circuit Switchin

Другие MOSFET... EM6K33 , EM6K34 , EM6K6 , EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , IRFP260 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M .

History: 2P7234A-5 | WMS08P03T1 | 2SK1934 | 2SK2882 | BLF7G24L-140

 

 

 

 

↑ Back to Top
.