Справочник MOSFET. F10F50VX2

 

F10F50VX2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F10F50VX2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F10F50VX2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F10F50VX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  shindengen
 2sk2188 f10f50vx2.pdf pdf_icon

F10F50VX2

SHINDENGENVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2188Case : E-packCase : FTO-220(Unit : mm)(F10F50VX2)500V 10AFEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast.APPLICATION Switching power supply of AC 100V input Hi

Другие MOSFET... EM6K7 , EMH2314 , EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , IRF9540N , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 .

History: HGB050N14S | HGT022N12S | DMP6110SSD | TPM2008EP3 | DAMI220N200 | WFF10N60 | CEM3258

 

 
Back to Top

 


 
.