Справочник MOSFET. F10W50

 

F10W50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F10W50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для F10W50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F10W50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:47K  shindengen
2sk1248 f10w50.pdfpdf_icon

F10W50

 0.1. Size:46K  shindengen
2sk1695 f10w50c.pdfpdf_icon

F10W50

Другие MOSFET... EMH2417R , EMH2418R , ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , TK10A60D , F10W50C , F10W90HVX2 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 .

History: AP50WN520I | SVS11N60SD2TR | SQ1421EEH | P0920ATF | 2SK3524-01 | SSF2N60F | 2SK3376MFV

 

 
Back to Top

 


 
.