F10W90HVX2 - описание и поиск аналогов

 

F10W90HVX2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F10W90HVX2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для F10W90HVX2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F10W90HVX2 даташит

 ..1. Size:272K  shindengen
 2sk2676 f10w90hvx2.pdf pdf_icon

F10W90HVX2

SHINDENGEN HVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement type OUTLINE DIMENSIONS 2SK2676 Case MTO-3P (Unit mm) ( F10W90HVX2 ) 900V 10A FEATURES Input capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small. The static Rds(on) is small. The switching time is fast. Avalanche resistance guaranteed. APPLICATION Switching power supply of

Другие MOSFET... ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , 12N60 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 .

History: MDF16N50GTH | BLF7G22L-250P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.