Справочник MOSFET. F10W90HVX2

 

F10W90HVX2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F10W90HVX2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для F10W90HVX2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F10W90HVX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  shindengen
 2sk2676 f10w90hvx2.pdf pdf_icon

F10W90HVX2

SHINDENGENHVX-2 Series Power MOSFET N-Channel Enhancement typeOUTLINE DIMENSIONS2SK2676Case : MTO-3P(Unit : mm)( F10W90HVX2 )900V 10AFEATURESInput capacitance (Ciss) is small. Especially, input capacitance at 0 biass is small.The static Rds(on) is small.The switching time is fast.Avalanche resistance guaranteed.APPLICATIONSwitching power supply of

Другие MOSFET... ES6U2 , ES6U3 , ES6U41 , ES6U42 , F10F50VX2 , F10V50VX2 , F10W50 , F10W50C , 4N60 , F11F60C3M , F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 .

History: CEP85N75 | IXFC14N80P | SSM6P36FE | AUIRFB8405 | FTK2102 | AUIRLB3036

 

 
Back to Top

 


 
.