F20F60C3M - описание и поиск аналогов

 

F20F60C3M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: F20F60C3M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для F20F60C3M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F20F60C3M даташит

 ..1. Size:155K  shindengen
 f20f60c3m.pdf pdf_icon

F20F60C3M

P we MOS E o r F T O T IE U LN Untmm i P cae T 20 akg F O-2A F 0 6C M 2F 0 3 6 0 0 0 V2A 0000 20F60C3M F aue etr L wR o ON FsS t at wihn cig Ioae akg s

Другие MOSFET... F11F60CPM , F11F80C3M , F11S80C3 , F12F50VX2 , F12W50VX2 , F15F60C3M , F15W50VX2 , F16F60CPM , IRFP450 , F20S60C3 , F20W50VX2 , F20W60C3 , F21F60CPM , F24W60C3 , F25F60CPM , F31W60CP , F35W60C3 .

History: SI3457BDV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.