F3F90HVX2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: F3F90HVX2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Выходная емкость (Cd): 67 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.7 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
F3F90HVX2 Datasheet (PDF)
..1. Size:254K shindengen
f3f90hvx2.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
f3f90hvx2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SHINDENGEN N- NEDI MENSI ONSOUTLI2SK2666Case : FTO-220Unit:mmF3F90HVX900V 3A(Ciss)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .