F55NF06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: F55NF06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 430 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
F55NF06 Datasheet (PDF)
..1. Size:279K thinkisemi
d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf
d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf
55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HGP042N10S
