F55NF06 - аналоги и даташиты транзистора

 

F55NF06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: F55NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F55NF06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F55NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

F55NF06

55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-

Другие MOSFET... F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , F5055 , IRF1405 , F5F50VX2 , F5F90HVX2 , F5S90HVX2 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 .

History: STM105N | RU7570L | BSS138AKDW | WSF3085 | TK42A12N1

 

 
Back to Top

 


 
.