Справочник MOSFET. F55NF06

 

F55NF06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F55NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для F55NF06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F55NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  thinkisemi
 d55nf06 f55nf06 p55nf06 u55nf06.pdf pdf_icon

F55NF06

55NF06Pb55NF06Pb Free Plating ProductN-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR50 AMPERE 60 VOLTN-CHANNEL POWER MOSFET12TO-251/IPAK3 DESCRIPTION Thinkisemi 50N06 is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max 12threshold voltages of 4 volt. TO-

Другие MOSFET... F5020-S , F5041 , F5042 , F5042-S , F5043 , F5043-S , F5048 , F5055 , IRFZ48N , F5F50VX2 , F5F90HVX2 , F5S90HVX2 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 .

History: CEP85N75 | FTK2102 | BUK9230-100B | HM60N03D | SSM6P36FE | 2SK2826

 

 
Back to Top

 


 
.