Справочник MOSFET. FIR75N06G

 

FIR75N06G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FIR75N06G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FIR75N06G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR75N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1794K  first silicon
 fir75n06g.pdf pdf_icon

FIR75N06G

FIR75N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

 7.1. Size:2929K  first silicon
 fir75n075g.pdf pdf_icon

FIR75N06G

FIR75N075GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N075G is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the cell density and reduces the on-resistance; its typical Rdson can reduce to 7.0mohm. Features Advanced trench process technology Specia

Другие MOSFET... FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , 12N60 , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 .

History: RTR040N03TL | TSJ10N10AT | OSG65R069HSF | LSB65R380HT | NCE0250D | BLF645

 

 
Back to Top

 


 
.