FIR75N06G - описание и поиск аналогов

 

FIR75N06G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR75N06G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FIR75N06G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR75N06G даташит

 ..1. Size:1794K  first silicon
 fir75n06g.pdf pdf_icon

FIR75N06G

FIR75N06G N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PIN Connection TO-220 Description The FIR75N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

 7.1. Size:2929K  first silicon
 fir75n075g.pdf pdf_icon

FIR75N06G

FIR75N075G N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PIN Connection TO-220 Description The FIR75N075G is a new generation of middle voltage and high current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the cell density and reduces the on-resistance; its typical Rdson can reduce to 7.0mohm. Features Advanced trench process technology Specia

Другие MOSFET... FC8V3303 , FC8V36060L , FC8V36120L , FG654301 , FG694301 , FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , STP75NF75 , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , FJ4B0110 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.