Справочник MOSFET. FIR75N06G

 

FIR75N06G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FIR75N06G
   Маркировка: FIR75N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FIR75N06G

 

 

FIR75N06G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1794K  first silicon
 fir75n06g.pdf

FIR75N06G FIR75N06G

FIR75N06GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N06G uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =75A RDS(ON)

 7.1. Size:2929K  first silicon
 fir75n075g.pdf

FIR75N06G FIR75N06G

FIR75N075GN-Channel Enhancement Mode Power MosfetPIN Connection TO-220DescriptionThe FIR75N075G is a new generation of middle voltage and high current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the cell density and reduces the on-resistance; its typical Rdson can reduce to 7.0mohm. Features Advanced trench process technology Specia

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top