FJ4B0110. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FJ4B0110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
Тип корпуса: XLGA004
Аналог (замена) для FJ4B0110
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FJ4B0110 даташит
fj4b0110.pdf
Doc No. TT4-EA-14958 Revision. 1 Product Standards MOS FET FJ4B01100L FJ4B01100L Single P-channel MOS FET Unit mm For Load switching circuits 0.80 4 3 TOP Features Low Drain-source ON resistance Rds(on) typ. = 68 m (VGS = -2.5 V) 1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL Level 1 compliant) 0.20 Marking Symbol 1D BOTTOM Packaging
fj4b0111.pdf
Doc No. TT4-EA-14953 Revision. 1 Product Standards MOS FET FJ4B01110L FJ4B01110L Single P-channel MOS FET Unit mm For Load switching circuits 0.60 4 3 TOP Features Drain-source ON resistance Rds(on) typ. = 141 m ( VGS = -2.5 V ) 1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL Level 1 compliant) 0.15 Marking Symbol 1E BOTTOM Packaging
fj4b0112.pdf
Doc No. TT4-EA-14960 Revision. 1 Product Standards MOS FET FJ4B01120L FJ4B01120L Single P-channel MOS FET Unit mm For Load switching circuits 1.0 4 3 TOP Features Low Drain-source ON resistance Rds(on) typ. = 40 m VGS = -2.5 V) 1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL Level 1 compliant) 0.25 Marking Symbol 1F BOTTOM Packaging
fj4b0124.pdf
Doc No. TT4-EA-15007 Revision. 1 Product Standards MOS FET FJ4B01240L FJ4B01240L Single P-channel MOS FET Unit mm For Load switching / Battery Management circuits TOP Features Low Drain-source ON resistance Rds(on) typ. = 21 m VGS = -3.2 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL Level 1 compliant) Marking Symbol 1J BOTTOM Packaging
Другие MOSFET... FG6K4206 , FIR18N20G , FIR210N06G , FIR75N06G , FIR75N075G , FJ330301 , FJ3303010L , FJ350301 , AO3401 , FJ4B0111 , FJ4B0112 , FJ4B0124 , FJ6K0101 , FJ6K01010L , FK330301 , FK3303010L , FK330307 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet




