Справочник MOSFET. FJ6K0101

 

FJ6K0101 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FJ6K0101
   Маркировка: T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: WSMINI6-F1-B

 Аналог (замена) для FJ6K0101

 

 

FJ6K0101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  panasonic
 fj6k0101.pdf

FJ6K0101 FJ6K0101

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FJ6K0101Silicon P-channel MOS FETFor load switch circuits Overview PackageFJ6K0101 is the low on-resistance P-channel MOS FET designed for load Codeswitch circuits. WSMini6-F1-B Pin Name Features 1: Drain 4: Source Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 36 mW (VGS = 1.8 V) 2: D

 0.1. Size:391K  panasonic
 fj6k01010l.pdf

FJ6K0101 FJ6K0101

Doc No. TT4-EA-12484Revision. 2Product StandardsMOS FETFJ6K01010LFJ6K01010LSilicon P-channel MOS FETUnit : mm 2.0For switching0.2 0.136 5 4 Features Low drain-source On-state resistance : RDS (on) typ. = 26 m ( VGS = -4.5 V ) Low drive voltage : 1.8 V drive Halogen-free / RoHS compliant(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)1 2 30.7

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top