FK8V0304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FK8V0304
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 33 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: SC-115
Аналог (замена) для FK8V0304
FK8V0304 Datasheet (PDF)
fk8v0304 fk8v03040l.pdf

Doc No. TT4-EA-13169Revision. 3Product StandardsMOS FETFK8V03040LFK8V03040LSilicon N-channel MOSFETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protecion circuit2.90.3 0.16For DC-DC Converter8 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ = 11 m (VGS = 4.5 V) High-speed switching : Qg = 7.2 nC Halogen-free / RoHS compliant1 2 3
fk8v0302.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK8V0302Silicon N-channel MOS FETFor lithium-ion secondary battery protection circuits Overview PackageFK8V0302 is N-channel single type small signal MOS FET adopted small Codesize surface mounting package. WMini8-F1Package dimension clicks here. Click! Features Low drain-source ON resistance: RD
fk8v03050l.pdf

Doc No. TT4-EA-13029Revision. 3Product StandardsMOS FETFK8V03050LFK8V03050LSilicon N-channel MOSFETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protecion circuit2.9For DC-DC Converter0.3 0.168 7 6 5 Features Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ = 16 m (VGS = 4.5 V) High-speed switching : Qg = 5.1 nC Halogen-free / RoHS compliant1 2 3
fk8v0306.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).FK8V0306Silicon N-channel MOS FETFor DC-DC converter circuits Overview Package N-channel single type, MOS FET in a compact surface mount type package. Code WMini8-F1 FeaturesPackage dimension clicks here. Click! Low drain-source ON resistance: RDS(on) typ. = 15 mW (VGS = 10 V) High-speed swi
Другие MOSFET... FK4B0110 , FK4B0111 , FK4B0112 , FK6K0201 , FK6K02010L , FK6K0612 , FK8V0302 , FK8V0303 , SKD502T , FK8V03040L , FK8V03050L , FK8V0306 , FK8V0606 , FK8V06120L , FKG1020 , FKH0660 , FKI06051 .
History: IXFC14N80P | ME35N10 | SI1035X
History: IXFC14N80P | ME35N10 | SI1035X



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet