SWP3205. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP3205
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWP3205 даташит
sw3205 swp3205.pdf
SAMWIN SW3205 N-channel MOSFET Features TO-220 BVDSS 55V ID 110A High ruggedness RDS(ON) (Max 0.008 )@VGS=10V RDS(ON) 0.008 ohm Gate Charge (Typ 146nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This N-channel enhancement mode field-effect power transistor using SAMWIN semiconductor
swp3205b.pdf
SW3205B N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET Features BVDSS 60V TO-220 ID 110A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8m )@VGS=10V RDS(ON) 4.8m Low Gate Charge (Typ 80nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application DC-DC Converter, Inverter, 3 1 Synchronous Rectification 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gene
Другие MOSFET... FM400TU-2A , FM400TU-3A , FM600TU-07A , FM600TU-2A , FM600TU-3A , FM6K6201 , FM6L5202 , FM6L52020L , IRF540 , SWP10N65 , SWF10N65 , ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10


