Справочник MOSFET. HY1606P

 

HY1606P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1606P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 764 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FB
 

 Аналог (замена) для HY1606P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1606P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  hymexa
 hy1606p hy1606b.pdf pdf_icon

HY1606P

HY1606P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/66ARDS(ON)= 10.4 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and

 0.1. Size:627K  hymexa
 hy1606p-b.pdf pdf_icon

HY1606P

HY1606P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/66ARDS(ON)= 10.4 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and

 8.1. Size:957K  hymexa
 hy1606d hy1606u hy1606v.pdf pdf_icon

HY1606P

HY1606D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/66A,RDS(ON)=10.4 m(typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and RuggedSDSS Lead Free and Green Devices AvailableGDDGG(RoHS Compliant)SDGTO-251-3L TO-251-3LTO-252-2LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marki

 9.1. Size:1089K  hymexa
 hy1607d hy1607u hy1607v.pdf pdf_icon

HY1606P

HY1607D/U/VN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 68V/70ARDS(ON)= 6.8m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged SDG Lead Free and Green Devices AvailableSD(RoHS Compliant)GTO-252-2L TO-251-3LApplications Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage Cod

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ST16N10 , SPP80N06S2-08 , SPB80N06S2-08 , SPI80N06S2-08 , SLP10N70C , SLF10N70C , PTW40N50 , PJM90H09NTF , AON6414A , HY1606B , HS50N06PA , FS14UM-10 , DMG4712SSS , BRCS4435SC , B0210D , 2SK4119LS , 2SK4098LS .

History: MTB02N03H8 | IRF7453PBF | NCE020N30K | SQM100N04-2M7 | SFF840

 

 
Back to Top

 


 
.