Справочник MOSFET. SDF10N100JEB

 

SDF10N100JEB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDF10N100JEB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO254
 

 Аналог (замена) для SDF10N100JEB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF10N100JEB Datasheet (PDF)

 5.1. Size:165K  solitron
 sdf10n100.pdf pdf_icon

SDF10N100JEB

 8.1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf pdf_icon

SDF10N100JEB

SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

 8.2. Size:159K  solitron
 sdf10n90.pdf pdf_icon

SDF10N100JEB

 8.3. Size:165K  solitron
 sdf10n60.pdf pdf_icon

SDF10N100JEB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SDF054JAA-S , SDF054JAA-U , SDF054JAB-D , SDF054JAB-S , SDF054JAB-U , SDF100NA40HI , SDF100NA40JD , SDF10N100JEA , IRFP260N , SDF10N100JEC , SDF10N100JED , SDF10N100SXH , SDF10N60 , SDF10N90GAF , SDF11N100GAF , SDF11N90GAF , SDF120JAA-D .

History: IPW90R120C3 | 3N80L-TN3-R | 11NM70G-TF1-T | UT100N03G-TF3-T | ZXMN10A25K | 2SK3918-ZK | STS5NF60L

 

 
Back to Top

 


 
.