Справочник MOSFET. SDF10N100JEB

 

SDF10N100JEB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SDF10N100JEB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 145 nC
   trⓘ - Время нарастания: 110(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO254

 Аналог (замена) для SDF10N100JEB

 

 

SDF10N100JEB Datasheet (PDF)

 5.1. Size:165K  solitron
 sdf10n100.pdf

SDF10N100JEB

 8.1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf

SDF10N100JEB SDF10N100JEB

SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

 8.2. Size:159K  solitron
 sdf10n90.pdf

SDF10N100JEB

 8.3. Size:165K  solitron
 sdf10n60.pdf

SDF10N100JEB

Другие MOSFET... SDF054JAA-S , SDF054JAA-U , SDF054JAB-D , SDF054JAB-S , SDF054JAB-U , SDF100NA40HI , SDF100NA40JD , SDF10N100JEA , P55NF06 , SDF10N100JEC , SDF10N100JED , SDF10N100SXH , SDF10N60 , SDF10N90GAF , SDF11N100GAF , SDF11N90GAF , SDF120JAA-D .

 

 
Back to Top