PFF12N65 - описание и поиск аналогов

 

PFF12N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PFF12N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для PFF12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PFF12N65 даташит

 ..1. Size:1430K  china
 pfp12n65 pff12n65.pdf pdf_icon

PFF12N65

PFP12N65/PFF12N65 FEATURES 650V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 650 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) typ = 0.46 Unequalled Gate Charge 48 nC (Typ.) E

Другие MOSFET... 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , IRF9540N , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , SVF830MJ , SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.