Справочник MOSFET. PFF12N65

 

PFF12N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PFF12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для PFF12N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PFF12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1430K  china
 pfp12n65 pff12n65.pdf pdf_icon

PFF12N65

PFP12N65/PFF12N65 FEATURES 650V N-Channel MOSFET Originative New Design 100% EAS Test Rugged Gate Oxide Technology Drain BVDSS = 650 V Extremely Low Intrinsic Capacitances Remarkable Switching Characteristics Gate RDS(on) typ = 0.46 Unequalled Gate Charge : 48 nC (Typ.) E

Другие MOSFET... 2SK4098LS , 3N128 , 3N143 , APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , IRF1010E , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , SVF830MJ , SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N .

History: FDC8878 | 2SK970

 

 
Back to Top

 


 
.