Справочник MOSFET. SVF830D

 

SVF830D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF830D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVF830D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF830D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:597K  silan
 svf830t-d-mj-fj-f.pdf pdf_icon

SVF830D

SVF830T/D/MJ/FJ/F_Datasheet 5A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF830T/D/MJ/FJ/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfo

Другие MOSFET... APM2509NU , CHM04N10ZPT , DTP4503 , IRF60R217 , PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , AO3400 , SVF830MJ , SVF830FJ , SVF830F , N0100P , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P .

History: IXTP8N50P | STP25N10F7 | WM06N03FB | SIR422DP-T1-GE3 | GP3139 | SJMN380R80ZB | WML03N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.