SVF830FJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF830FJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220FJ

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF830FJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF830FJ даташит

 8.1. Size:597K  silan
 svf830t-d-mj-fj-f.pdf pdf_icon

SVF830FJ

SVF830T/D/MJ/FJ/F_Datasheet 5A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF830T/D/MJ/FJ/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perfo

Другие IGBT... DTP4503, IRF60R217, PFP12N65, PFF12N65, PK6D0BA, SVF830T, SVF830D, SVF830MJ, 13N50, SVF830F, N0100P, N0300N, N0300P, N0301N, N0301P, N0302P, N0400P