N0100P - описание и поиск аналогов

 

N0100P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: N0100P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для N0100P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N0100P даташит

 ..1. Size:254K  renesas
 n0100p.pdf pdf_icon

N0100P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... PFP12N65 , PFF12N65 , PK6D0BA , SVF830T , SVF830D , SVF830MJ , SVF830FJ , SVF830F , SPP20N60C3 , N0300N , N0300P , N0301N , N0301P , N0302P , N0400P , N0412N , N0413N .

History: AON2705

 

 

 

 

↑ Back to Top
.