NTB5860NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTB5860NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 220 nC
trⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1127 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
NTB5860NL Datasheet (PDF)
ntb5860nl nvb5860nl.pdf
NTB5860NL, NTP5860NL,NVB5860NLN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested3.0 mW @ 10 V60 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant3.6 mW @ 4.5 V NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site
ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf
NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD