Справочник MOSFET. NTB65N02R

 

NTB65N02R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTB65N02R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для NTB65N02R

 

 

NTB65N02R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf

NTB65N02R NTB65N02R

NTB65N02R, NTP65N02RPower MOSFET65 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatureshttp://onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available*DMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwis

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top