NTB65N02R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTB65N02R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB65N02R
NTB65N02R Datasheet (PDF)
ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf
NTB65N02R, NTP65N02RPower MOSFET65 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatureshttp://onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available*DMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwis
Другие MOSFET... NTB5860N , NTB5860NL , NTB60N06G , NTB60N06L , NTB6410ANG , NTB6411ANG , NTB6412ANG , NTB6413ANG , IRF830 , NTB65N02RT4 , NTB75N03-006 , NTB75N03L09T4 , NTB75N03R , NTB75N06G , NTB75N06L , NTB85N03 , NTB90N02 .
History: NTMFS4931N | VB8658 | TSM4925DCS | NTMFS4936NT1G | STS4DNF30L | HMS21N60 | NVMFS6H836N
History: NTMFS4931N | VB8658 | TSM4925DCS | NTMFS4936NT1G | STS4DNF30L | HMS21N60 | NVMFS6H836N
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565


