Справочник MOSFET. NTD32N06-001

 

NTD32N06-001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD32N06-001
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD32N06-001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntd32n06-001 ntd32n06 ntd32n06-d.pdf pdf_icon

NTD32N06-001

NTD32N06Power MOSFET32 Amps, 60 Volts, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Smaller Package than MTB36N06V60 V 26 mW 32 A Lower RDS(on) Lower VDS(on)N-Channel

 6.1. Size:98K  onsemi
 ntd32n06l ntd32n06l ntd32n06lg.pdf pdf_icon

NTD32N06-001

NTD32N06LPower MOSFET32 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.VDSS RDS(ON) TYP ID MAXFeatures Smaller Package than MTB30N06VL60 V23.7 mW32 A Lower RDS(on), VDS(on), and Total Gate Charge Lower and Tighter

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: ELM33400CA | 7N60L-B-TF3 | SE3018 | TSP8N65M | SE6020DB | KP7129A | LSH65R380HT

 

 
Back to Top

 


 
.