NTD32N06-001 - описание и поиск аналогов

 

NTD32N06-001. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD32N06-001

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 346 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD32N06-001

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD32N06-001 даташит

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntd32n06-001 ntd32n06 ntd32n06-d.pdf pdf_icon

NTD32N06-001

NTD32N06 Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features Pb-Free Packages are Available V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Smaller Package than MTB36N06V 60 V 26 mW 32 A Lower RDS(on) Lower VDS(on) N-Channel

 6.1. Size:98K  onsemi
 ntd32n06l ntd32n06l ntd32n06lg.pdf pdf_icon

NTD32N06-001

NTD32N06L Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts Logic Level, N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Features Smaller Package than MTB30N06VL 60 V 23.7 mW 32 A Lower RDS(on), VDS(on), and Total Gate Charge Lower and Tighter

Другие MOSFET... NTD2955G , NTD3055-094-1 , NTD3055-094-1G , NTD3055-150T4 , NTD3055L104T4G , NTD3055L170T4G , NTD30N02G , NTD32N06 , STP75NF75 , NTD32N06L , NTD32N06LG , NTD3808N-1G , NTD3813N-1G , NTD3817N-1G , NTD40N03R-1G , NTD40N03RG , NTD4302-1G .

History: LNG4N65 | LSG65R380HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.