NTD3808N-1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTD3808N-1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
Аналог (замена) для NTD3808N-1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTD3808N-1G даташит
ntd3808n-1g.pdf
NTD3808N Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices 5.8 mW @ 10 V 16 V 76 A Applications 8.5 mW @ 4.5 V DC-DC Con
ntd3813n-1g.pdf
NTD3813N Power MOSFET 16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design Flexibility V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices 8.75 mW @ 10 V 16 V 51 A Applications
ntd3817n-1g.pdf
NTD3817N Power MOSFET 16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design Flexibility V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices 13.9 mW @ 10 V 16 V 34.5 A Applicat
Другие MOSFET... NTD3055-150T4 , NTD3055L104T4G , NTD3055L170T4G , NTD30N02G , NTD32N06 , NTD32N06-001 , NTD32N06L , NTD32N06LG , IRF4905 , NTD3813N-1G , NTD3817N-1G , NTD40N03R-1G , NTD40N03RG , NTD4302-1G , NTD4804N-1G , NTD4804NA-1G , NTD4805N-1G .
History: LNG7N65D | MTM55N10 | 2P524A9
History: LNG7N65D | MTM55N10 | 2P524A9
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125



